技术文章

LPDDR5 主要功能

与 LPDDR4/4X DRAM 相比，LPDDR5 DRAM 支持高达 6400 Mbps 的数据速率和在更低的工作电压（VDD 的 1.05/0.9V 和 I/O 的 0.5/0.35V）下支持更大的设备尺寸（每个通道 2Gb 至 32Gb）。表 1 显示了 LPDDR5 和 LPDDR4 DRAM 之间的比较：   LPDDR5 DRAM LPDDR4 DRAM ...
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LPDDR5内存详解

LPDDR5是什么？ LPDDR全称Low Power Double Data Rate，是美国JEDEC固态技术协会面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。简称“低功耗内存”。而LPDDR5就是最新的标准。 JEDEC（固态技术协会）把LPDDR5 标准叫做JESD209-5。标准规定了LPDDR5将以6400MT/s的速率运行，是LPDDR4的两...
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DDR5内存规范和关键特性

内存技术也经历着不断更新迭代，如今，双倍数据速率（DDR）同步动态随机存取存储器（SDRAM 或直接称为 DRAM）技术，已成为几乎所有从高性能企业数据中心到注重功耗/面积的移动应用中的普遍的存储器。这一切都要归功于DDR 的高密度特性，其采用了电容器作为存储元件的简单架构具有高性能、低延迟、高访问寿命以及低功耗等特点。 内存接口芯片是内存模组（又称内存条）的核心器件。作为服务器CPU 存...
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DDR4 测试的新挑战 引论

DDR4 在一些服务器和工作站上已经开始使用，DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以达到 3200Mb/s,这样高速的信号，对信号完整性的要求就更加严格，JESD79‐4 规范也对 DDR4 信号的测量提出了新的要求， 本文就要讨论一下 DDR4 测试面临的新挑战。 DDR4新的特性 DDR4 相比 DDR3，有很多新的变化，首先它的带宽提高了近一倍，最高达到 ...
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以逻辑分析仪进行串列快闪记忆体(Serial/SPI Flash)量测方案

Serial Flash 量测问题 在许多的电子产品中都有使用 Serial Flash的需求，它有较简单的控制程序与电路以及可靠的储存能力，使它倍受青睐。因此，常被用于电子产品里放置较关键的开机程序(Boot code)或系统设定资料(System setting)。每当系统启动时，Serial Flash 就会忙碌起来，尽快的把储存在里面的程序或资料载入系统内。但越来越复杂的命令组合以...
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Acute逻辑分析仪NAND Flash 汇流排触发与解码

近年以来受惠影音消费性电子产品兴起的热潮，消费者对资料储存的需求与日俱增，使得NAND Flash的需求出现大幅度的成长。 快闪记忆体(Flash Memory)目前分为NOR和NAND两种，NOR、NAND Flash结构由东芝(Toshiba)于1988 和1989年发表。 NOR Flash具有XIP (eXecute In Place)的特点，这样应用程序可以直接在Flash内运行...
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